آرشیوهای برچسب: مشخصات Mosfet

دانلود پروژه ترانزیستور اثر میدان

دانلود پروژه ترانزیستور اثر میدان

  • عنوان پروژه : ترانزیستور اثر میدان
  • مربوط به رشته : الکترونیک
  • فرمت اجرایی : در قالب Word
  • تعداد صفحات : 97 صفحه

توضیحی مختصر از پروژه ترانزیستور اثر میدان :

ترانزيستور اثر ميدان (يا به اختصار FET) قطعه‌ ای سه پايانه است كه در موارد بسياری بكار می رود و در مقياس وسيعی با ترانزيستور BJT رقابت می كند. اگر چه اختلافات مهمی بين اين دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسياری نيز بين آنها وجود دارد كه در بخش های بعد به آن اشاره خواهد شد. عبارت «اثر ميدان در نام اين ترانزيستور با خود توضيحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانايی يک مغناطيس دائمی آشنا هستيم كه براده‌ های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می كشد. ميدان مغناطيسی يک مغناطيس دائمی براده‌ های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطيسی جذب می كند. در FET، بوسيله بارهای آن ميدان الكتريكی بوجود می آيد كه مسير هدايت جريان خروجی را كنترل می كند بدون تماس مستقيم بين كنترل كننده و كميت های كنترل شونده. اين تمايل طبيعی است كه دومين قطعه را با تعدادی از كاربردهای مشابه قطعه اول معرفی كرده و برخی مشخصه‌ های آن را با هم مقايسه كنيم.

شما عزیزان برای دانلود پروژه ترانزیستور اثر میدان و مشاهده توضیحات تکمیلی به ادامه مطلب مراجعه نمایید… .

گرافیک و طراحی : پارس تمز

Copyright © 2015 All rights Reserved

تمام حقوق مادی و معنوی و طرح قالب برای "تک آی آر" محفوظ است و هر گونه کپی برداری خلاف قوانین می شود.